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三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存

作者:志合电子  点击:76  时间:2012-4-1
三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存

    近日,三星对外宣布已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16GB NAND闪存设备。该多层核心(MLC)的设计采用了一个4KB的页值,而非竞争产品中所采用的2KB。正因为此,新型设备的读速度比以2KB设计方式的设备要快一倍,写速度快50%。

当涉及到计算机存储技术时,硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”(SSD)技术,以替代现有高速运转盘,从而降低应用程序加载的时间。

与传统硬盘相比,SSD响应快速,无需等待硬盘进行转动寻道等操作,并且也相应地降低了功耗。当未被访问时,SSD功耗为0瓦特,而在进行读写等活动时,其功耗仅为200毫瓦特。

满足现在愈来愈强烈的低功耗要求,索尼和富士等公司纷纷将目光投向了三星,希望三星能为他们的移动计算机产品提供SSD。三星在Q30笔记本和Q1 UMPC上均使用了它的SSD。

人士预测,不断增长的存储性能和更高的写入速度,将帮助三星在2008年上半年达到其生产128GB SSD的目标。

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